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東芝(6502)韓国ハイニックス社とMRAM技術の共同開発
2011-07-13
東芝 <6502> は、韓国ハイニックス社と、MRAM(磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ)技術を共同開発することで合意し、韓国利川(イチョン)にあるハイニックス社の研究施設に両社の技術者を集結し、共同開発を行う。
MRAMは、低消費電力で、書き込み速度が高速という特長を持つ不揮発性メモリで、NAND型フラッシュメモリと組み合わせたシステムにより、新たなアプリケーションの創出が期待できる。協業のステップとして、NAND、HDDを含めたすれとー時事業におけるメモリ統合ソリューションの推進を主導する。
MRAMは、低消費電力で、書き込み速度が高速という特長を持つ不揮発性メモリで、NAND型フラッシュメモリと組み合わせたシステムにより、新たなアプリケーションの創出が期待できる。協業のステップとして、NAND、HDDを含めたすれとー時事業におけるメモリ統合ソリューションの推進を主導する。
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